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东芝开拓功率半导体市场 期抢下全球市占宝座
点击率:607    发布于:2011-08-15    文字:【】【】【
东芝半导体与存储器社(Toshiba Semiconductor & Storage Products)社长小林清治在10日的事业说明会上,宣布今后将在功率半导体事业投入更多资源,预计数年内要抢下全球市占率第1名王位。目前该公司功率半导体市占率为业界第3。
东芝的第1个动作,就是引进新的元件结构,以打造高效能产品。例如在高耐压MOSFET方面,东芝将利用单磊晶(single epi)构造的超接面(Super-junction)技术,可降低漏电电流,藉此获得更高的电源效率。而为因应高频元件需求,导入碳化硅(SiC)及氮化镓(GaN)等新材料的功率半导体也正在开发当中。
小林表示,东芝的策略是以最少额的设备投资,达到最大生产效率,因此决定把四日市工厂的8寸晶圆生产线制造设备调度到加贺工厂,挪作生产功率半导体之用。设备重新分配之后,8寸晶圆产量至2013年将达到全部功率半导体产量的80%。另一方面,加贺工厂生产线会预估2012年前就会达到满载,东芝会视必要性决定是否再建新厂房。
关于其它降低成本的具体对策,东芝表示,由于功率半导体的封装测试成本偏高,占整体生产过程费用40%,故提高委外代工比重将是基本方针,2012年的委外比例预计为生产量的80%,到2013年则会来到90%。
此外,东芝将原本制造系统单芯片(SoC)的大分工厂重新定位,转为生产CMOS。特别是为平板计算机及智能型手机设计的背照式(Back Side Illuminated;BSI) CMOS感光元件,具有高感度与高速度之特色,未来将成为大分工厂的主要生产品项。
东芝还打算针对获利率较低的系统大规模集成电路(LSI)进行瘦身,2010年东芝把50%产量下放给三星电子(Samsung Electronics),这个比例至2013年预计会扩大到80%以上